Theo CNET, ổ thể rắn (SSD) nhanh hơn nhiều so với ổ cứng truyền thống (HDD) để lưu trữ dữ liệu trên máy tính xách tay, nhưng SSD vẫn không thể ngang với HDD khi nói về chi phí và dung lượng. Tuy nhiên, Intel hứa hẹn sẽ giúp cải thiện SSD với công nghệ mới giúp nén nhiều dữ liệu hơn vào mỗi ô nhớ.
SSD sử dụng bộ nhớ flash, một loại chip lưu trữ dữ liệu trong các ô nhớ nhỏ. Khi bộ nhớ flash xuất hiện lần đầu tiên, mỗi ô có thể lưu trữ số 0 hoặc số 1, hay một bit. Nhưng các cải tiến đã tăng lên hai bit, ba bit và ngày nay là bốn bit, nhờ vậy một ô nhớ có thể lưu trữ 16 bit dữ liệu – một sự gia tăng công suất lớn.
Giờ đây, Intel đã công bố công nghệ mới giúp tăng gấp đôi mật độ dữ liệu trong mỗi ô nhớ một lần nữa bằng cách sử dụng các tế bào năm cấp. Như mô tả của Intel, công nghệ tế bào năm cấp mới đang hoạt động sẽ giúp tăng gấp đôi mật độ dữ liệu có trong mỗi ô một lần nữa. Các tế bào năm cấp sẽ tăng thêm mật độ và giảm chi phí khi so sánh với các tế bào bốn cấp.
Động thái này quan trọng, nhưng đừng hy vọng Intel là công ty duy nhất làm điều này. Ví dụ, một công ty bộ nhớ flash hàng đầu khác là Toshiba đã tiết lộ công nghệ bộ nhớ flash năm của riêng mình vào tháng 8. Nhưng điểm mấu chốt là họ hy vọng rằng sự cạnh tranh và đổi mới sẽ giúp giảm giá bộ nhớ trong trên máy tính để bàn, điện thoại…
Intel đã không nói khi nào công nghệ mới sẽ được thương mại hóa hay cách ảnh hưởng của nó đối với chi phí ra sao. Hiện tại công ty cũng đã tăng công suất cho công nghệ xếp chồng 3D để chứa thêm hàng chục lớp tế bào bộ nhớ. Bộ nhớ Flash 2019 của Intel tích hợp 96 lớp tế bào bốn cấp, nhưng vào năm 2020, nó sẽ chuyển sang 144 lớp, công ty tuyên bố.